ô mạng BCC ● Góc mạng (Au,Fe) ● Tâm khối (BCC) d θ θ 2d · sin θ = nλ Δ = 2d·sinθ Tia X 2θ (độ) Cường độ (a.u.) 20 30 40 50 60 70 80 90 (110) FWHM (200) (211) Cấu trúc tinh thể Nhiễu xạ Bragg Phổ XRD
Vật lý tinh thể & Nhiễu xạ

Nhiễu Xạ Tia X
X-ray Diffraction

Từ phương trình Bragg đến tính toán d-spacing — hiểu đầy đủ trong một bài giảng tương tác

⚛ Mạng tinh thể 〰 Phương trình Bragg 📐 Tính d-spacing 💡 Cường độ nhiễu xạ 🔬 Máy tính tương tác
CUỘN XUỐNG

Khái niệm cơ bản

Nhiễu xạ tia X (XRD – X-ray Diffraction) là kỹ thuật phân tích cấu trúc tinh thể dựa trên hiện tượng tia X bị tán xạ bởi các nguyên tử trong mạng tinh thể. Khi các tia tán xạ giao thoa tăng cường với nhau, ta quan sát được đỉnh nhiễu xạ.

🔆

Tia X là gì?

Bức xạ điện từ với bước sóng λ ≈ 0.1 – 10 Å, tương đương khoảng cách liên nguyên tử trong tinh thể. Đây là điều kiện để xảy ra nhiễu xạ.

🔷

Mạng tinh thể

Cấu trúc tuần hoàn của nguyên tử trong không gian 3D. Được xác định bởi 6 tham số mạng: a, b, c (độ dài) và α, β, γ (góc).

📏

Mặt phẳng tinh thể

Các mặt song song trong tinh thể, ký hiệu bằng chỉ số Miller (hkl). Khoảng cách giữa hai mặt kề nhau gọi là d-spacing (dhkl).

🌊

Giao thoa ánh sáng

Tăng cường khi hiệu quang trình = nλ (đồng pha). Triệt tiêu khi hiệu quang trình = (n + ½)λ (ngược pha).

📊

Giản đồ XRD

Biểu đồ cường độ I theo góc 2θ. Mỗi đỉnh (peak) tương ứng với một nhóm mặt phẳng (hkl) thỏa mãn điều kiện Bragg.

🎯

Ứng dụng

Xác định pha tinh thể, hằng số mạng, kích thước hạt nano (phương trình Scherrer), ứng suất dư, thành phần vật liệu.

💡
Tại sao cần λ ≈ khoảng cách nguyên tử?
Để xảy ra nhiễu xạ, bước sóng ánh sáng phải có độ lớn tương đương kích thước vật cản (khoảng cách mặt phẳng d ≈ 1–4 Å). Nếu λ quá lớn → không "thấy" được cấu trúc. Nếu λ quá nhỏ → góc nhiễu xạ quá nhỏ, khó đo.

Phương trình Bragg

Năm 1913, William Henry Bragg và William Lawrence Bragg đề xuất điều kiện để nhiễu xạ xảy ra khi tia X phản xạ từ các mặt phẳng tinh thể song song:

PHƯƠNG TRÌNH BRAGG
\( n\lambda = 2d\sin\theta \)

Điều kiện giao thoa tăng cường của tia X trên mạng tinh thể

Ký hiệuTên đại lượngĐơn vị / Ghi chú
nBậc nhiễu xạn = 1, 2, 3, … (thường lấy n = 1)
λBước sóng tia XÅ hoặc nm (1 Å = 0.1 nm)
dKhoảng cách mặt phẳng (d-spacing)Å — đặc trưng của tinh thể
θGóc Bragg (góc tới = góc phản xạ)°, trong phổ XRD đo được góc 2θ

Hình minh họa: Tia X nhiễu xạ trên mặt phẳng tinh thể

(hkl) (hkl) d θ θ hiệu quang trình = 2d·sinθ Điều kiện: nλ = 2d·sinθ → giao thoa tăng cường

Giải thích hình học: Tia 2 (chiếu vào mặt phẳng thứ 2) đi thêm một đoạn đường là 2d·sinθ so với tia 1. Để hai tia giao thoa tăng cường, hiệu quang trình phải bằng số nguyên lần bước sóng: .

⚠️
Lưu ý quan trọng: Trong thực nghiệm XRD, phổ kế đo góc (không phải θ). Khi tính toán, phải lấy θ = 2θ / 2 trước khi áp dụng phương trình Bragg.
Dạng suy ra thực dụng: Từ phương trình Bragg (n = 1), ta tính được d-spacing từ góc 2θ đo được:

d = λ / (2 · sin(θ))
với θ = 2θ / 2

Nguồn bức xạ thường dùng trong XRD:

Cu Kαλ = 1.5406 Å40 kV — Phổ biến nhất
Mo Kαλ = 0.7107 Å50 kV — Góc nhỏ, vật liệu nặng
Co Kαλ = 1.7902 Å40 kV — Thép, Fe
Cr Kαλ = 2.2898 Å40 kV — Ứng suất dư
Fe Kαλ = 1.9373 Å40 kV
Ag Kαλ = 0.5609 Å50 kV — Polymer

Cường độ nhiễu xạ

Cường độ đỉnh nhiễu xạ I(hkl) không chỉ phụ thuộc vào điều kiện Bragg mà còn vào nhiều nhân tử khác. Công thức tổng quát:

CƯỜNG ĐỘ NHIỄU XẠ
\[ I_{hkl} \propto |F_{hkl}|^2 \cdot LP \cdot P \cdot A \cdot e^{-2M} \]

Tích của nhiều nhân tử độc lập

① Nhân tử cấu trúc Fhkl

\( F_{hkl} = \sum_j f_j \cdot e^{2\pi i(hx_j + ky_j + lz_j)} \)

fj: nhân tử tán xạ nguyên tử (phụ thuộc Z và sinθ/λ)
(xj, yj, zj): tọa độ nguyên tử j trong ô đơn vị
|F|² quyết định đỉnh nào xuất hiện và đỉnh nào tắt (systematic absences)

② Nhân tử Lorentz-Phân cực LP

\( LP = \frac{1 + \cos^2 2\theta}{\sin^2\theta \cdot \cos\theta} \)

Kết hợp nhân tử Lorentz (hình học đo) và phân cực (phụ thuộc trạng thái phân cực tia X). Tăng mạnh ở góc nhỏ và góc gần 90°.

③ Nhân tử nhiệt (Debye-Waller)

\( e^{-2M} = e^{-B \cdot \sin^2\theta / \lambda^2} \)

B: hệ số nhiệt độ (B = 8π²⟨u²⟩)
⟨u²⟩: bình phương biên độ dao động trung bình
Dao động nhiệt làm giảm cường độ ở góc lớn.

④ Nhân tử bội số P

\( P = \text{số mặt phẳng tương đương} \)

Ví dụ: mặt {100} lập phương có P = 6 (±x, ±y, ±z). Đỉnh {111} có P = 8. Nhân tử bội số càng lớn, cường độ càng cao.

⑤ Nhân tử hấp thụ A

\( A = \frac{1}{2\mu} \)

μ: hệ số hấp thụ tuyến tính của mẫu. Trong hình học phản xạ chuẩn (Bragg-Brentano), A gần như không phụ thuộc θ nên thường bỏ qua.

⑥ Quy tắc tắt hệ thống

Fhkl = 0 → đỉnh bị tắt

BCC: h+k+l = lẻ → F = 0
FCC: h,k,l không cùng chẵn/lẻ → F = 0
HCP: quy tắc phức tạp hơn theo l và h+2k

📌
Công thức Scherrer — Tính kích thước hạt:
D = K·λ / (β·cosθ) Trong đó: D là kích thước tinh thể trung bình, K ≈ 0.9 (hằng số Scherrer), β là độ rộng nửa đỉnh FWHM (rad). Phổ biến dùng để ước tính kích thước hạt nano.

Tính d-spacing từ tham số mạng

Khoảng cách dhkl phụ thuộc vào chỉ số Miller (hkl) và tham số mạng tinh thể. Công thức khác nhau theo từng hệ tinh thể:

🔷 Lập phương (Cubic)

a = b = c, α = β = γ = 90°
\(\dfrac{1}{d^2} = \dfrac{h^2 + k^2 + l^2}{a^2}\)

Đơn giản nhất. Ví dụ: Fe, Cu, NaCl, kim cương

🔶 Tứ giác (Tetragonal)

a = b ≠ c, α = β = γ = 90°
\(\dfrac{1}{d^2} = \dfrac{h^2 + k^2}{a^2} + \dfrac{l^2}{c^2}\)

Ví dụ: In, TiO₂ (anatase, rutile)

🔹 Trực thoi (Orthorhombic)

a ≠ b ≠ c, α = β = γ = 90°
\(\dfrac{1}{d^2} = \dfrac{h^2}{a^2} + \dfrac{k^2}{b^2} + \dfrac{l^2}{c^2}\)

Ví dụ: BaSO₄, MgSiO₃

🔵 Lục giác (Hexagonal)

a = b ≠ c, α = β = 90°, γ = 120°
\(\dfrac{1}{d^2} = \dfrac{4}{3} \cdot \dfrac{h^2+hk+k^2}{a^2} + \dfrac{l^2}{c^2}\)

Ví dụ: ZnO, graphite, Ti, Zr

💠 Tam phương (Rhombohedral)

a = b = c, α = β = γ ≠ 90°
\(\dfrac{1}{d^2} = \dfrac{(h^2+k^2+l^2)\sin^2\!\alpha + 2(hk+kl+hl)(\cos^2\!\alpha - \cos\alpha)}{a^2(1 - 3\cos^2\!\alpha + 2\cos^3\!\alpha)}\)

Ví dụ: Al₂O₃ (corundum), calcite

🔸 Đơn tà (Monoclinic)

a ≠ b ≠ c, α = γ = 90°, β ≠ 90°
\(\dfrac{1}{d^2} = \dfrac{1}{\sin^2\!\beta}\!\left(\!\dfrac{h^2}{a^2}+\dfrac{k^2\sin^2\!\beta}{b^2}+\dfrac{l^2}{c^2}-\dfrac{2hl\cos\beta}{ac}\!\right)\)

Ví dụ: ZrO₂ (monoclinic), gypsum

⬡ Ba nghiêng (Triclinic)

a ≠ b ≠ c, α ≠ β ≠ γ ≠ 90° — Hệ tổng quát nhất
\(\dfrac{1}{d^2} = \dfrac{1}{V^2}\!\Big(S_{11}h^2 + S_{22}k^2 + S_{33}l^2 + 2S_{12}hk + 2S_{23}kl + 2S_{13}hl\Big)\)
V = thể tích ô đơn vị; Sij là các phần tử của ma trận nghịch đảo ma trận mạng
🗂
Quy trình tổng quát tính dhkl:
  1. Xác định hệ tinh thể và tra tham số mạng a, b, c, α, β, γ từ ICDD hoặc ICSD
  2. Xác định chỉ số Miller (hkl) của mặt phẳng cần tính
  3. Áp dụng công thức tương ứng với hệ tinh thể → tính 1/d²
  4. Lấy nghịch đảo căn bậc hai: d = 1/√(1/d²)

Máy tính tương tác

Tính d-spacing từ góc 2θ

Sử dụng phương trình Bragg: d = λ / (2·sinθ), với θ = 2θ/2

Kết quả

d-spacing
Ångström (Å)
d-spacing
nanomét (nm)
Góc θ Bragg
độ (°)
sinθ
không đơn vị

Tính d-spacing từ tham số mạng

dhkl
Ångström (Å)
— nm

Tính góc 2θ từ d-spacing

Biết d → tính 2θ theo: 2θ = 2·arcsin(nλ / 2d)

Kết quả

Góc 2θ
độ (°)
Góc θ
độ (°)
sinθ = nλ/2d
không đơn vị

Vạch nhiễu xạ — Dung dịch rắn mất trật tự BCC / FCC / HCP

Tính và hiển thị tất cả vạch nhiễu xạ (dạng barcode) của các pha BCC, FCC, HCP trong dải góc 2θ chọn. Mỗi vạch hiển thị góc 2θ và chỉ số Miller (hkl).

a (Å)
Ví dụ: Fe α (a=2.87 Å), W (a=3.16 Å), Mo (a=3.15 Å)
a (Å)
Ví dụ: Ni (a=3.52 Å), Cu (a=3.61 Å), Al (a=4.05 Å)
a (Å)
c (Å)
Ví dụ: Ti α (a=2.95, c=4.68 Å), Mg (a=3.21, c=5.21 Å)
Góc 2θ bắt đầu (°)
Góc 2θ kết thúc (°)

Công thức Scherrer — Kích thước miền kết tinh

D = K·λ / (β·cos θ)
D — kích thước miền kết tinh (Å hoặc nm) K — hệ số hình dạng Scherrer λ — bước sóng tia X (Å) β — độ rộng nửa chiều cao FWHM (radian) θ — góc Bragg (= 2θ/2)
β²vật lý = β²đo − β²inst (hiệu chỉnh Gaussian)
Kích thước D
nm
Kích thước D
Å
📏 Vị trí trên thang kích thước
1–10 nm
10–30 nm
30–100
>100 nm
1 nm310301003001000 nm
● Cực nano (<10 nm) — Scherrer kém tin cậy ● Nano tinh thể (10–30 nm) — tốt nhất cho Scherrer ● Tinh thể nhỏ (30–100 nm) ● Tinh thể thô (>100 nm) — β nhỏ, dễ nhầm βinst
Nhập thông số ở bên trái để xem kết quả.
Độ nhạy D theo K (0,7 → 1,2)
📖 Cách đọc biểu đồ
Đường D(K): D tăng tuyến tính khi K tăng
Điểm trắng = K đang chọn, giá trị D hiện tại
Trục Y: D (nm) — kích thước tính ra
Trục X: giá trị K — đọc bất định do K
Mục đích: Thấy D thay đổi bao nhiêu khi chọn K khác nhau (0,7–1,2). Khoảng dao động này chính là bất định hệ thống do lựa chọn K. Nếu dải rộng → D nhạy cảm cao với K → cần biết hình dạng hạt. Nếu dải hẹp → lựa chọn K ít quan trọng.
▶ Bảng tham khảo FWHM và kích thước D điển hình
FWHM β (°) D ≈ (nm) tại 2θ=44,7°, K=0,9 Nhận xét
0,05° ≈ 170 nm Vật liệu tinh thể thô, peak rất sắc; tiệm cận giới hạn phân giải XRD.
0,1° ≈ 85 nm Kim loại ủ, gốm kết khối hoàn toàn.
0,3° ≈ 28 nm Điển hình hợp kim nghiền cơ 10–50 h; màng mỏng PVD.
0,5° ≈ 17 nm Nano tinh thể; hạt nano tổng hợp hóa học.
1,0° ≈ 8,5 nm Hạt nano nhỏ (< 10 nm); oxide nano tổng hợp.
2,0° ≈ 4 nm Gần vô định hình; Scherrer kém tin cậy khi D < 3–5 nm.
⚠ Giới hạn của công thức Scherrer
  • Cho kích thước miền kết tinh, không phải kích thước hạt vật lý.
  • Không phân tách được sự đóng góp của biến dạng vi mô (microstrain). Dùng Williamson–Hall plot để tách riêng.
  • Kém tin cậy khi D > 100–200 nm (β quá nhỏ, gần βinst) hoặc D < 3 nm (peak quá rộng, chồng nền).
  • Giả thiết hạt đẳng hướng; hạt dạng tấm/thanh cần mô hình anisotropic.
💡 Thực hành tốt
  • Luôn hiệu chỉnh FWHM dụng cụ βinst từ mẫu chuẩn (Si NIST, LaB₆).
  • Tính D từ nhiều peak rồi lấy trung bình; kiểm tra sự phụ thuộc theo hướng (hkl).
  • Đối với mẫu đa pha, chỉ lấy FWHM của peak không chồng lấn.
  • Nếu cần chính xác hơn, dùng Rietveld refinement hoặc Warren–Averbach analysis.
📐 Williamson–Hall (mở rộng)
Vẽ β·cosθ / λ theo 4·sinθ / λ:
β cosθ/λ = K/D + 4ε sinθ/λ
Hệ số góc → microstrain ε; trục tung → 1/D.
Phù hợp với mẫu có biến dạng đáng kể (nghiền cơ, biến dạng dẻo).

Williamson–Hall Analysis — Tách Size & Strain

β·cos θ / λ  =  K/D  +  4ε·sin θ / λ
β cosθ/λ — trục tung (Å⁻¹) 4sinθ/λ — trục hoành (Å⁻¹) K/D — tung độ gốc → kích thước D — hệ số góc → microstrain ε
Vẽ điểm (4sinθ/λ ; βcosθ/λ) cho từng peak → hồi quy tuyến tính → tung độ gốc = K/D, hệ số góc = ε
(hkl) 2θ (°) FWHM β (°)
Nhập ít nhất 3 peak. Click ô để chỉnh sửa.
📐 Nguyên lý W–H

Broadening của XRD peak có hai nguồn độc lập: (1) kích thước tinh thể hữu hạn → làm rộng theo Scherrer; (2) biến dạng vi mô (microstrain) trong mạng → làm rộng theo hệ số 4ε·tanθ. W–H tách hai đóng góp này bằng hồi quy tuyến tính trên tập nhiều peak.

⚖ Scherrer vs Williamson–Hall
Scherrer chỉ dùng 1 peak, không tách strain → D bị đánh giá thấp nếu có microstrain.
W–H dùng ≥3 peak, phân tách D và ε đồng thời → chính xác hơn với mẫu biến dạng (nghiền cơ, biến dạng dẻo, màng mỏng có ứng suất dư).
✅ Đọc kết quả
  • Hệ số góc ≈ 0: microstrain không đáng kể → W–H ≈ Scherrer.
  • Hệ số góc dương lớn: biến dạng mạnh, D từ Scherrer bị underestimate.
  • R² < 0,8: scatter lớn → kiểm tra lại FWHM, hiệu chỉnh dụng cụ, hoặc mẫu có anisotropy.
  • Tung độ gốc âm: có thể do lỗi βinst, sai số đo, hoặc model không phù hợp.
🔬 Mở rộng — Modified W–H (mWH)

Phiên bản Ungár & Borbély (1996) đưa thêm hệ số tương phản dislocation hkl để xét anisotropy đàn hồi:
ΔK² = 1/D² + (π M² b²/2)·ρ·K²C̄
Phù hợp với kim loại có anisotropy đàn hồi mạnh (thép, Ti, Zr); cần phần mềm chuyên dụng (CMWP, MAUD).

HEO Spinel — Tham số mạng & Kích thước tinh thể (Fe₃O₄-type)

🧲
High-Entropy Oxide (HEO) — Cấu trúc Spinel
Nhóm không gian Fd-3m (No. 227) — Cubic, a ≈ 8,3–8,6 Å
📐 Công thức cubic: d = a / √(h²+k²+l²) 🎯 Mục tiêu: xác định a ≈ 8,43 Å, D < 30 nm 📋 Ví dụ: (Mg,Co,Ni,Cu,Zn)Fe₂O₄; (Co,Cr,Fe,Mn,Ni)₃O₄
📌 Các peak đặc trưng spinel Fe₃O₄ (Cu Kα, a=8,396 Å)
(111) ≈ 18,3°(220) ≈ 30,1°(311) ≈ 35,5° (222) ≈ 37,1°(400) ≈ 43,1°(422) ≈ 53,4° (511) ≈ 57,0°(440) ≈ 62,5°(533) ≈ 74,0°
Với HEO, các peak dịch chuyển và mở rộng do sự thay thế đa nguyên tố → a tăng lên ~8,40–8,55 Å, peak rộng hơn → D nhỏ hơn.
Thông số chung
h k l 2θ (°) FWHM (°)
Nhập ít nhất 3 peak. Spinel: chỉ số (hkl) đặc trưng như 311, 220, 440, 511, 400...
⚛ Cấu trúc spinel & HEO

Spinel AB₂O₄ (Fd-3m) có ô đơn vị lập phương với 8 phân tử / ô. Trong HEO, 5+ cation chiếm vị trí A và B ngẫu nhiên — tạo entropy cấu hình cao (ΔS ≥ 1,5R) ổn định pha đơn spinel. Tham số mạng tăng so với Fe₃O₄ (8,396 Å) do bán kính ion lớn hơn trung bình.

📏 Quy tắc Vegard cho HEO

Nếu dung dịch rắn lý tưởng: aHEO = Σ xᵢ·aᵢ. Deviation dương → trường ứng suất nén; âm → kéo. Dải tiêu biểu cho spinel HEO đa nguyên tố (MgCoNiCuZn)Fe₂O₄: 8,35–8,50 Å.

🔬 D < 30 nm — ý nghĩa

Kích thước tinh thể nano (< 30 nm) trong HEO spinel xuất phát từ: (1) năng lượng tự do thấp ổn định pha nhỏ; (2) strain field do mismatch bán kính ion; (3) cơ chế tổng hợp (co-precipitation, sol-gel, cơ-hóa). FWHM rộng hơn Fe₃O₄ đơn thành phần là dấu hiệu rõ nhất.

⚠ Phân biệt đa pha hay pha đơn?

Nếu a tính ra từ các peak khác nhau có sự phân tán lớn (σ > 0,01 Å) → nghi ngờ đa pha hoặc ordering. Nelson–Riley plot không tuyến tính → tương tự. Dùng Rietveld refinement (FullProf, GSAS-II) để xác nhận pha đơn.

Bảng JCPDS/PDF tra nhanh — Nhận dạng pha XRD

Bảng tổng hợp các thẻ JCPDS/PDF phổ biến dùng để nhận dạng nhanh pha trong phân tích XRD với bức xạ Cu Kα, λ ≈ 1,5406 Å. Chọn tab để tra bảng theo nhóm pha. Các giá trị 2θ có thể lệch nhẹ trong thực nghiệm do sai số zero-shift, ứng suất dư, hoặc kích thước tinh thể.

📌 Ghi chú sử dụng: Nhóm BCC, FCC, HCP; điều kiện gần nhiệt độ phòng. Vị trí thực nghiệm có thể dịch nhẹ do sai số zero-shift, kích thước tinh thể, biến dạng mạng hoặc ứng suất dư. Khi công bố, nên đối chiếu lại bằng cơ sở dữ liệu PDF-2/PDF-4+ hoặc phần mềm nhận dạng pha đang sử dụng.
STT KIM LOẠI KIỂU MẠNG #PDF / JCPDS 2 PEAK ĐẶC TRƯNG (Cu Kα) a (Å) c (Å)
⬡ Nhóm BCC
1 Fe, α-Fe BCC 00-006-0696 44,7° (110) ; 82,3° (211) 2,866
2 Nb BCC 00-035-0789 38,5° (110) ; 69,6–69,8° (211) 3,300
3 Cr BCC 00-006-0694 44,4° (110) ; 81,7–82,0° (211) 2,884
4 Mo BCC 00-042-1120 40,5° (110) ; 73,7° (211) 3,147
◇ Nhóm FCC
5 Al FCC 00-004-0787 38,47° (111) ; 44,74° (200) 4,049
6 Ni FCC 00-004-0850 44,5° (111) ; 51,8° (200) 3,524
7 Cu FCC 00-004-0836 43,3° (111) ; 50,4° (200) 3,615
⬢ Nhóm HCP
8 Ti, α-Ti HCP 00-044-1294 40,1° (101) ; 38,42° (002) 2,951 4,684
9 Co, α-Co HCP 00-005-0727 44,2–44,5° (002) ; 47,4–48,0° (101) 2,503 4,061
10 Zn HCP 00-004-0831 36,31° (002) ; 39,0° (100) 2,665 4,947
★ Trường hợp đặc biệt
11 Mn, α-Mn Cubic phức tạp 00-032-0637 35,6° (321) ; 40,4° (400) 8,912
⚠ α-Mn — Cấu trúc cubic đặc biệt

Mn ở nhiệt độ phòng là α-Mn có cấu trúc cubic phức tạp (58 nguyên tử/ô mạng), không nên xếp cơ học vào BCC/FCC/HCP. Các thù hình β-, γ-, δ-Mn chỉ ổn định ở nhiệt độ cao hoặc trong hệ hợp kim/dung dịch rắn.

⚠ α-Co vs FCC-Co — Chồng lấn pha

Co ở nhiệt độ phòng thường đối chiếu bằng pha HCP α-Co. Tuy nhiên FCC-Co có thể xuất hiện trong hạt nano, màng mỏng hoặc sau xử lý nhiệt. Khi thấy peak quanh 44,2°, cần phân biệt chồng lấn giữa HCP-Co (002) và FCC-Co (111).

📊 Vùng 2θ ≈ 38–45° — Chồng lấn đa pha

Với hợp kim nghiền cơ hoặc mẫu đa pha, peak của Al, Fe, Ni, Co, Cu có thể chồng lấn mạnh trong vùng 2θ ≈ 38–45°. Nên kết hợp cả peak bậc cao, FWHM và bối cảnh thành phần hóa học để phân giải.