Từ phương trình Bragg đến tính toán d-spacing — hiểu đầy đủ trong một bài giảng tương tác
Nhiễu xạ tia X (XRD – X-ray Diffraction) là kỹ thuật phân tích cấu trúc tinh thể dựa trên hiện tượng tia X bị tán xạ bởi các nguyên tử trong mạng tinh thể. Khi các tia tán xạ giao thoa tăng cường với nhau, ta quan sát được đỉnh nhiễu xạ.
Bức xạ điện từ với bước sóng λ ≈ 0.1 – 10 Å, tương đương khoảng cách liên nguyên tử trong tinh thể. Đây là điều kiện để xảy ra nhiễu xạ.
Cấu trúc tuần hoàn của nguyên tử trong không gian 3D. Được xác định bởi 6 tham số mạng: a, b, c (độ dài) và α, β, γ (góc).
Các mặt song song trong tinh thể, ký hiệu bằng chỉ số Miller (hkl). Khoảng cách giữa hai mặt kề nhau gọi là d-spacing (dhkl).
Tăng cường khi hiệu quang trình = nλ (đồng pha). Triệt tiêu khi hiệu quang trình = (n + ½)λ (ngược pha).
Biểu đồ cường độ I theo góc 2θ. Mỗi đỉnh (peak) tương ứng với một nhóm mặt phẳng (hkl) thỏa mãn điều kiện Bragg.
Xác định pha tinh thể, hằng số mạng, kích thước hạt nano (phương trình Scherrer), ứng suất dư, thành phần vật liệu.
Năm 1913, William Henry Bragg và William Lawrence Bragg đề xuất điều kiện để nhiễu xạ xảy ra khi tia X phản xạ từ các mặt phẳng tinh thể song song:
Điều kiện giao thoa tăng cường của tia X trên mạng tinh thể
| Ký hiệu | Tên đại lượng | Đơn vị / Ghi chú |
|---|---|---|
| n | Bậc nhiễu xạ | n = 1, 2, 3, … (thường lấy n = 1) |
| λ | Bước sóng tia X | Å hoặc nm (1 Å = 0.1 nm) |
| d | Khoảng cách mặt phẳng (d-spacing) | Å — đặc trưng của tinh thể |
| θ | Góc Bragg (góc tới = góc phản xạ) | °, trong phổ XRD đo được góc 2θ |
Hình minh họa: Tia X nhiễu xạ trên mặt phẳng tinh thể
Giải thích hình học: Tia 2 (chiếu vào mặt phẳng thứ 2) đi thêm một đoạn đường là 2d·sinθ so với tia 1. Để hai tia giao thoa tăng cường, hiệu quang trình phải bằng số nguyên lần bước sóng: nλ.
Nguồn bức xạ thường dùng trong XRD:
Cường độ đỉnh nhiễu xạ I(hkl) không chỉ phụ thuộc vào điều kiện Bragg mà còn vào nhiều nhân tử khác. Công thức tổng quát:
Tích của nhiều nhân tử độc lập
fj: nhân tử tán xạ nguyên tử (phụ thuộc Z và sinθ/λ)
(xj, yj, zj): tọa độ nguyên tử j trong ô đơn vị
|F|² quyết định đỉnh nào xuất hiện và đỉnh nào tắt (systematic absences)
Kết hợp nhân tử Lorentz (hình học đo) và phân cực (phụ thuộc trạng thái phân cực tia X). Tăng mạnh ở góc nhỏ và góc gần 90°.
B: hệ số nhiệt độ (B = 8π²⟨u²⟩)
⟨u²⟩: bình phương biên độ dao động trung bình
Dao động nhiệt làm giảm cường độ ở góc lớn.
Ví dụ: mặt {100} lập phương có P = 6 (±x, ±y, ±z). Đỉnh {111} có P = 8. Nhân tử bội số càng lớn, cường độ càng cao.
μ: hệ số hấp thụ tuyến tính của mẫu. Trong hình học phản xạ chuẩn (Bragg-Brentano), A gần như không phụ thuộc θ nên thường bỏ qua.
BCC: h+k+l = lẻ → F = 0
FCC: h,k,l không cùng chẵn/lẻ → F = 0
HCP: quy tắc phức tạp hơn theo l và h+2k
Khoảng cách dhkl phụ thuộc vào chỉ số Miller (hkl) và tham số mạng tinh thể. Công thức khác nhau theo từng hệ tinh thể:
Đơn giản nhất. Ví dụ: Fe, Cu, NaCl, kim cương
Ví dụ: In, TiO₂ (anatase, rutile)
Ví dụ: BaSO₄, MgSiO₃
Ví dụ: ZnO, graphite, Ti, Zr
Ví dụ: Al₂O₃ (corundum), calcite
Ví dụ: ZrO₂ (monoclinic), gypsum
Sử dụng phương trình Bragg: d = λ / (2·sinθ), với θ = 2θ/2
Kết quả
Biết d → tính 2θ theo: 2θ = 2·arcsin(nλ / 2d)
Kết quả
Tính và hiển thị tất cả vạch nhiễu xạ (dạng barcode) của các pha BCC, FCC, HCP trong dải góc 2θ chọn. Mỗi vạch hiển thị góc 2θ và chỉ số Miller (hkl).
| FWHM β (°) | D ≈ (nm) tại 2θ=44,7°, K=0,9 | Nhận xét |
|---|---|---|
| 0,05° | ≈ 170 nm | Vật liệu tinh thể thô, peak rất sắc; tiệm cận giới hạn phân giải XRD. |
| 0,1° | ≈ 85 nm | Kim loại ủ, gốm kết khối hoàn toàn. |
| 0,3° | ≈ 28 nm | Điển hình hợp kim nghiền cơ 10–50 h; màng mỏng PVD. |
| 0,5° | ≈ 17 nm | Nano tinh thể; hạt nano tổng hợp hóa học. |
| 1,0° | ≈ 8,5 nm | Hạt nano nhỏ (< 10 nm); oxide nano tổng hợp. |
| 2,0° | ≈ 4 nm | Gần vô định hình; Scherrer kém tin cậy khi D < 3–5 nm. |
Broadening của XRD peak có hai nguồn độc lập: (1) kích thước tinh thể hữu hạn → làm rộng theo Scherrer; (2) biến dạng vi mô (microstrain) trong mạng → làm rộng theo hệ số 4ε·tanθ. W–H tách hai đóng góp này bằng hồi quy tuyến tính trên tập nhiều peak.
Phiên bản Ungár & Borbély (1996) đưa thêm hệ số tương phản dislocation C̄hkl để xét anisotropy đàn hồi:
ΔK² = 1/D² + (π M² b²/2)·ρ·K²C̄
Phù hợp với kim loại có anisotropy đàn hồi mạnh (thép, Ti, Zr); cần phần mềm chuyên dụng (CMWP, MAUD).
Spinel AB₂O₄ (Fd-3m) có ô đơn vị lập phương với 8 phân tử / ô. Trong HEO, 5+ cation chiếm vị trí A và B ngẫu nhiên — tạo entropy cấu hình cao (ΔS ≥ 1,5R) ổn định pha đơn spinel. Tham số mạng tăng so với Fe₃O₄ (8,396 Å) do bán kính ion lớn hơn trung bình.
Nếu dung dịch rắn lý tưởng: aHEO = Σ xᵢ·aᵢ. Deviation dương → trường ứng suất nén; âm → kéo. Dải tiêu biểu cho spinel HEO đa nguyên tố (MgCoNiCuZn)Fe₂O₄: 8,35–8,50 Å.
Kích thước tinh thể nano (< 30 nm) trong HEO spinel xuất phát từ: (1) năng lượng tự do thấp ổn định pha nhỏ; (2) strain field do mismatch bán kính ion; (3) cơ chế tổng hợp (co-precipitation, sol-gel, cơ-hóa). FWHM rộng hơn Fe₃O₄ đơn thành phần là dấu hiệu rõ nhất.
Nếu a tính ra từ các peak khác nhau có sự phân tán lớn (σ > 0,01 Å) → nghi ngờ đa pha hoặc ordering. Nelson–Riley plot không tuyến tính → tương tự. Dùng Rietveld refinement (FullProf, GSAS-II) để xác nhận pha đơn.
Bảng tổng hợp các thẻ JCPDS/PDF phổ biến dùng để nhận dạng nhanh pha trong phân tích XRD với bức xạ Cu Kα, λ ≈ 1,5406 Å. Chọn tab để tra bảng theo nhóm pha. Các giá trị 2θ có thể lệch nhẹ trong thực nghiệm do sai số zero-shift, ứng suất dư, hoặc kích thước tinh thể.
| STT | KIM LOẠI | KIỂU MẠNG | #PDF / JCPDS | 2 PEAK ĐẶC TRƯNG (Cu Kα) | a (Å) | c (Å) |
|---|---|---|---|---|---|---|
| ⬡ Nhóm BCC | ||||||
| 1 | Fe, α-Fe | BCC | 00-006-0696 | 44,7° (110) ; 82,3° (211) | 2,866 | — |
| 2 | Nb | BCC | 00-035-0789 | 38,5° (110) ; 69,6–69,8° (211) | 3,300 | — |
| 3 | Cr | BCC | 00-006-0694 | 44,4° (110) ; 81,7–82,0° (211) | 2,884 | — |
| 4 | Mo | BCC | 00-042-1120 | 40,5° (110) ; 73,7° (211) | 3,147 | — |
| ◇ Nhóm FCC | ||||||
| 5 | Al | FCC | 00-004-0787 | 38,47° (111) ; 44,74° (200) | 4,049 | — |
| 6 | Ni | FCC | 00-004-0850 | 44,5° (111) ; 51,8° (200) | 3,524 | — |
| 7 | Cu | FCC | 00-004-0836 | 43,3° (111) ; 50,4° (200) | 3,615 | — |
| ⬢ Nhóm HCP | ||||||
| 8 | Ti, α-Ti | HCP | 00-044-1294 | 40,1° (101) ; 38,42° (002) | 2,951 | 4,684 |
| 9 | Co, α-Co | HCP | 00-005-0727 | 44,2–44,5° (002) ; 47,4–48,0° (101) | 2,503 | 4,061 |
| 10 | Zn | HCP | 00-004-0831 | 36,31° (002) ; 39,0° (100) | 2,665 | 4,947 |
| ★ Trường hợp đặc biệt | ||||||
| 11 | Mn, α-Mn | Cubic phức tạp | 00-032-0637 | 35,6° (321) ; 40,4° (400) | 8,912 | — |
Mn ở nhiệt độ phòng là α-Mn có cấu trúc cubic phức tạp (58 nguyên tử/ô mạng), không nên xếp cơ học vào BCC/FCC/HCP. Các thù hình β-, γ-, δ-Mn chỉ ổn định ở nhiệt độ cao hoặc trong hệ hợp kim/dung dịch rắn.
Co ở nhiệt độ phòng thường đối chiếu bằng pha HCP α-Co. Tuy nhiên FCC-Co có thể xuất hiện trong hạt nano, màng mỏng hoặc sau xử lý nhiệt. Khi thấy peak quanh 44,2°, cần phân biệt chồng lấn giữa HCP-Co (002) và FCC-Co (111).
Với hợp kim nghiền cơ hoặc mẫu đa pha, peak của Al, Fe, Ni, Co, Cu có thể chồng lấn mạnh trong vùng 2θ ≈ 38–45°. Nên kết hợp cả peak bậc cao, FWHM và bối cảnh thành phần hóa học để phân giải.